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IRLBD59N04E
100000
VGS = 0V,   f = 1 MHZ
C iss = C gs + Cgd ,
SHORTED
Crss = C gd
C ds
6.0
5.0
ID= 35A
VDS= 32V
VDS= 20V
VDS= 8.0V
10000
Coss = Cds + Cgd
4.0
3.0
Ciss
1000
Coss
Crss
2.0
1.0
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 13
100
1
10
100
0.0
0
10
20
30
40
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
1000.0
1000
Q G Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS(on)
100.0
T J = 175°C
100
100μsec
10.0
1.0
T J = 25°C
10
Tc = 25°C
1msec
10msec
0.1
VGS = 0V
1
Tj = 175°C
Single Pulse
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
1
10
100
4
VSD, Source-toDrain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
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